| Titre : | Application Des transistors A Effet de champ en arséniure de gallium. | | Type de document : | texte imprimé | | Auteurs : | R. Soares, Auteur ; J. Obregon, Auteur ; Jacques Graffeuil | | Editeur : | Paris : Eyrolles | | Année de publication : | 1984 | | Collection : | Collection technique et scientifique des télécommunications, ISSN 0221-2579 | | Importance : | 517p. | | Présentation : | ill., couv. ill | | Format : | 16*24cm. | | Note générale : | index. | | Langues : | Français (fre) | | Mots-clés : | Application Des transistors | | Résumé : | APPLICATIONS DES TRANSISTORS A EFFETDE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUMR.SOARES , J. GRAFFEUIL ET J.OBREGONRESUMELe transistor à effet de champ, à barrière Schottky, sur arséniure de gallium (MESFETGaAs), fonctionne efficacement dans la zone spectrale allant du gigahertz à la centaine degigahertz. Les systèmes de communication, de détection, de contre-mesures... travaillantdans cette bande font de plus en plus appel à ce nouveau composant. Les qualités del'arséniure de gallium et les structures adoptées pour la réalisation technologique de cetransistor conduisent à de nouveaux circuits monolithiques, permettant des progrèsconsidérables vers des circuits intégrés fonctionnant à très grande vitesse.Des mises au point sur les différents circuits utilisant ce transistor, établies par des spécialistes universitaires et industriels constituentles différents chapitres de ce livre qui apporte ainsi un outil de travail solide dans un domaine en pleine évolution.S'adressant aussi bien aux praticiens désireux de préciser ou d'étendre leurs connaissances qu'aux étudiants en fin d'études qui veulentprendre contact avec les réalités de la technique, ce volume est un excellent exemple de ce que les électroniciens doivent faire pour laformation continue des électroniciens et pour aider les étudiants à devenir des électroniciens |
Application Des transistors A Effet de champ en arséniure de gallium. [texte imprimé] / R. Soares, Auteur ; J. Obregon, Auteur ; Jacques Graffeuil . - Paris : Eyrolles, 1984 . - 517p. : ill., couv. ill ; 16*24cm.. - ( Collection technique et scientifique des télécommunications, ISSN 0221-2579) . index. Langues : Français ( fre) | Mots-clés : | Application Des transistors | | Résumé : | APPLICATIONS DES TRANSISTORS A EFFETDE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUMR.SOARES , J. GRAFFEUIL ET J.OBREGONRESUMELe transistor à effet de champ, à barrière Schottky, sur arséniure de gallium (MESFETGaAs), fonctionne efficacement dans la zone spectrale allant du gigahertz à la centaine degigahertz. Les systèmes de communication, de détection, de contre-mesures... travaillantdans cette bande font de plus en plus appel à ce nouveau composant. Les qualités del'arséniure de gallium et les structures adoptées pour la réalisation technologique de cetransistor conduisent à de nouveaux circuits monolithiques, permettant des progrèsconsidérables vers des circuits intégrés fonctionnant à très grande vitesse.Des mises au point sur les différents circuits utilisant ce transistor, établies par des spécialistes universitaires et industriels constituentles différents chapitres de ce livre qui apporte ainsi un outil de travail solide dans un domaine en pleine évolution.S'adressant aussi bien aux praticiens désireux de préciser ou d'étendre leurs connaissances qu'aux étudiants en fin d'études qui veulentprendre contact avec les réalités de la technique, ce volume est un excellent exemple de ce que les électroniciens doivent faire pour laformation continue des électroniciens et pour aider les étudiants à devenir des électroniciens |
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